CGo-4高低溫真空探針臺
溫控規格:
控溫范圍4K-480K控溫精度0.1K溫度穩定性4 K + - 0.2 K 77 K + - 0.1 K 373 K + - 0.08 K 473 K + - 0.1 K 823 K + - 0.2 K(可選) 973 K + - 1.0K(可選)常溫到8K冷卻時(shí)間:1小時(shí)40分鐘8K到常溫升溫時(shí)間:1小時(shí)30分鐘 從常溫開(kāi)始的升溫時(shí)間 200 ℃ 550℃ 700 ℃ (4 chuck，單位分：秒)1:00 1:30 2:00電源直流材質(zhì)不銹鋼功率(4chuck) 850W
機械規格
針座行程 X軸方向25.4mm(1 inch) 可以選擇50.8mm Y軸方向25.4mm(1 inch) 可以選擇50.8mm Z軸方向25.4mm(1 inch) 可以選擇50.8mm 移動(dòng)精度 X軸方向10 micron 可以選擇0.35,0.7,5,10 or 20 micron Y軸方向10 micron 可以選擇0.35,0.7,5,10 or 20 micron Z軸方向10 micron 可以選擇0.35,0.7,5,10 or 20 micron 探針可旋轉角度+-5 度
光學(xué)部件規格
顯微鏡X-Y軸方向行程2"*2" 可以選擇4"*4"總共放大倍率240X 可以選擇更高倍率真空腔觀(guān)察窗口2 inch 外部石英材質(zhì)99%紅外線(xiàn)穿過(guò)率 內部吸收紅外線(xiàn)僅可見(jiàn)光通過(guò)光源150W可連續調節雙光纖導引
可選附件
防震桌
方形chuck
分子泵組
射頻部件
Chuck可外部移動(dòng)裝置
客戶(hù)定制。
低溫和高溫真空探針臺
CINDBEST真空環(huán)境高低溫測試技術(shù)
以下兩個(gè)應用需要真空測試環(huán)境。
極低溫測試:
因為晶圓在低溫大氣環(huán)境測試時(shí)，空氣中的水汽會(huì )凝結在晶圓上，會(huì )導致漏電過(guò)大或者探針無(wú)法接觸電極而使測試失敗。避免這些需要把真空腔內的水汽在測試前用泵抽走，并且保持整個(gè)測試過(guò)程泵的運轉。
高溫無(wú)氧化測試：
當晶圓加熱至300℃,400℃,500℃甚至更高溫度時(shí)，氧化現象會(huì )越來(lái)越明顯，并且溫度越高氧化越嚴重。過(guò)度氧化會(huì )導致晶圓電性誤差，物理和機械形變。避免這些需要把真空腔內的氧氣在測試前用泵抽走，并且保持整個(gè)測試過(guò)程泵的運轉。
晶圓測試過(guò)程中溫度在低溫和高溫中變換，因為熱脹冷縮現象，定位好的探針與器件電極間會(huì )有相對位移，這時(shí)需要針座的重新定位，CINDBEST針座位于腔體外部。我們也可以選擇使用操作桿控制的自動(dòng)化針座來(lái)調整探針的位置。
滬公網(wǎng)安備31011502016460號
