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氧化硅與氮化硅薄膜窗格比較：

相比氮化硅薄膜，氧化硅薄膜更適合用于含氮樣本。在EDS研究中，如基片薄膜含氮，則會(huì )與樣本造成混淆。

樣本安置面：

對多數用戶(hù)來(lái)說(shuō)，樣本應安置在薄膜窗格的“覆膜面”而非“蝕坑面”。但我們也知道在***些特殊情況下，蝕坑面也可安置樣本。除對樣本進(jìn)行原子力顯微鏡（AFM）觀(guān)測外，蝕坑面本質(zhì)上并非不可用于放置樣本。實(shí)際上，沒(méi)有***個(gè)顯微鏡的懸臂可以伸至蝕坑內“看清”薄膜表面。

氧化硅薄膜窗特點(diǎn)：

清洗：采用等離子清洗，無(wú)有機物殘留，改善成像質(zhì)量；

均勻性：減少了不同區域的不均勻性；

穩定性： 耐高溫，>1000℃；

良好的化學(xué)穩定性：圖像分辨率和機械強度達到理想的平衡；

化學(xué)計量比的SiO2：可用于氮氣環(huán)境下的EDX分析；

氧化硅薄膜窗規格

優(yōu)點(diǎn)：

• SEM應用中，薄膜背景不呈現任何結構和特點(diǎn)。

• x-射線(xiàn)顯微鏡中，裝載多個(gè)分析樣的方法。

• 無(wú)氮

應用：

氧化硅薄膜應用范圍非常廣，甚至有時(shí)使不可能變?yōu)榭赡?，但所有應用都有無(wú)氮要求（因樣本中有氮存在）：

● 惰性基片可用于高溫環(huán)境下，通過(guò)TEM、SEM或AFM（某些情況下）對反應進(jìn)行動(dòng)態(tài)觀(guān)察。

● 作為耐用（如“強力”）基片，***先在TEM下，然后在SEM下對同***區域進(jìn)行“匹配”。

● 作為耐用匹配基片，對AFM和TEM圖像進(jìn)行比較。

● 聚焦離子束（FIB）樣本的裝載，我們推薦使用多孔薄膜，而非不間斷薄膜。

氧化硅薄膜TEM網(wǎng)格操作使用：

     如果正確操作，氧化硅薄膜將會(huì )擁有非常好的性能。相反，若用工具直接接觸薄膜，則會(huì )即刻損壞薄膜。為防損壞，可用尖嘴鑷子小心夾取，就像夾取其他TEM網(wǎng)格***樣。 

使用前清潔：
    氧化硅薄膜窗格在使用前不需進(jìn)行額外清潔。有時(shí)薄膜表面邊角處會(huì )散落個(gè)別氧化物或氮化物碎片。由于單片網(wǎng)格需要從整個(gè)硅片中分離，并對外框進(jìn)行打磨，因此這些微小碎片不可避免。盡管如此，我們相信這些碎片微粒不會(huì )對您的實(shí)驗產(chǎn)生任何影響。 
    如果用戶(hù)確實(shí)需要對這些碎片進(jìn)行清理，我們建議用H2SO4 : H2O2 (1:1)溶液清潔有機物，用H2O:HCl: H2O2(5:3:3)溶液清潔金屬。 
    通常不能用超聲波清洗器清潔薄膜，因超聲波可能使其粉碎性破裂。