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特性和使用
· 高分辨率
專(zhuān)有設計的投影光路確保亞微米的刻寫(xiě)精度：
 
圖1 樣例電極在5x - 100x顯微鏡下的圖樣
· 所見(jiàn)即所得
 
圖2 刻寫(xiě)過(guò)程說(shuō)明
圖2為刻寫(xiě)過(guò)程的簡(jiǎn)要說(shuō)明。樣品表面旋涂光刻膠后置入光刻機，需刻寫(xiě)圖案以位圖方式導入軟件。指引光將在樣品的試試圖像上指示即將刻寫(xiě)的為止，可通過(guò)軟件將圖像平移/縮放/旋轉，以精確調節刻寫(xiě)為止。經(jīng)過(guò)刻寫(xiě)、顯影及后處理，即可獲得需要的微結構。

圖3 套刻功能
在已有結構的樣品上增刻新的結構通常稱(chēng)為“套刻”；通過(guò)指引光可以方便的指引即將刻寫(xiě)的位置，并可通過(guò)軟件進(jìn)行角度、尺寸等調整，調整完成后即可將新結構精確的套刻至原結構之上。
 
· 高精度拼接功能

圖4 拼接功能；右下圖為全幅待刻寫(xiě)圖樣，左下圖為單次曝光區域
 
單次曝光能夠刻寫(xiě)的區域受顯微物鏡視場(chǎng)限制，高分辨刻寫(xiě)時(shí)刻寫(xiě)區域較小。大區域、高分辨刻寫(xiě)時(shí)，系統通過(guò)樣品平移掃描的方式進(jìn)行拼接刻寫(xiě)。
拼接刻寫(xiě)完全是自動(dòng)化的，用戶(hù)只需要導入所需要的圖形即可?？墒褂密浖D形進(jìn)行縮放、旋轉、平移等操作，以實(shí)現理想的定位和尺寸。
拼接所采用的高精度平移臺保證±100nm的絕對定位精度，確保亞微米尺度光刻的無(wú)縫過(guò)渡。拼接尺寸可達200mm。
無(wú)掩模光刻系統的圖樣可以實(shí)時(shí)調整，所以拼刻的圖形可以是任意形狀的而不限于周期圖樣。
 
· 高***功能
電動(dòng)Z軸平移及自動(dòng)對焦：可方便用戶(hù)對焦，并實(shí)現對表面凹凸、傾斜樣品的準確刻寫(xiě)；
環(huán)境防護：標配UV防護功能；標配機箱除濕功能，確保長(cháng)時(shí)間自動(dòng)光刻時(shí)樣品不受濕度變化影響；
灰度刻寫(xiě)功能：支持對指定區域的曝光量進(jìn)行設定，實(shí)現灰度刻寫(xiě)；
訂制手套箱兼容的光刻系統，樣品自旋涂-曝光-顯影-后處理均在手套箱內完成，適用于對氧氣敏感的樣品；
 
 
圖5 已交互客戶(hù)的手套箱內UV光刻系統示意圖
 
· 技術(shù)支持與試樣、試用
力足***內，提供從售前至售后全天候技術(shù)支持。歡迎您隨時(shí)預約參觀(guān)試用儀器，或聯(lián)系我司試樣
 

主要技術(shù)指標

 無(wú)掩模紫外光刻機
· 微米高分辨率投影光刻
· 無(wú)需掩模板實(shí)現任意圖案刻寫(xiě),所見(jiàn)即所得,即用即刻
· 200mm行程拼接,100nm拼接精度
· 可視化指引光斑,支持套刻
· 全自動(dòng)操作,圖形縮放、旋轉、定位、掃描拼接均通過(guò)軟件完成
紫外投影光刻通過(guò)將特定形狀的光斑投射到器件表面涂敷的光刻膠上,光刻膠被輻照區域產(chǎn)生化學(xué)變化,在曝光、顯影后即可形成微米精度的圖樣;通過(guò)進(jìn)***步的刻蝕或蒸鍍,*終可在樣品表面形成所需要的結構。作為材料、器件、微結構與微器件常用的制備技術(shù),紫外投影光刻被廣泛用于維納結構制備、半導體器件電極制備、太赫茲/毫米波器件制備、光學(xué)掩模版制備、PCB制造等應用中。
常規紫外投影光刻機需要先制作掩模板,耗材成本高、制備周期長(cháng),很難滿(mǎn)足材料器件實(shí)驗室對靈活性和實(shí)驗進(jìn)度的要求。近年發(fā)展起來(lái)的無(wú)掩膜光刻技術(shù)突破這***技術(shù)限制,實(shí)現任意形狀編程、全自動(dòng)高精度大尺度拼接的無(wú)掩膜光刻,隨時(shí)將您的設計轉化為實(shí)際的成品,大幅度減少研制測試周期,強有力的助攻維納微納器件制備的“臨門(mén)***腳”。
TuoTuo科技基于多年微納結構制備經(jīng)驗,自主研發(fā)高均勻度紫外光源,高保真指引光路,高精度、大行程、大承載納米位移臺等核心技術(shù),結合高穩定機械結構、自動(dòng)化和軟件設計,推出全自動(dòng)高精度無(wú)掩模光刻機。