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納米尺度下的磁學(xué)圖像對于研究磁性材料和超導樣品是非常重要的，利用attocube公司attoAFM/attoMFM/atoSHPM系統，科學(xué)***可以在無(wú)以倫比的空間分辨率（20nm）和磁場(chǎng)敏感性下分析樣品磁性，工作溫度從極低溫、強磁場(chǎng)到室溫。

attoAFM/attoMFM/attoSHPM采用模塊化的設計。利用標配的控制器和樣品掃描臺，用戶(hù)僅需要更換掃描頭和對應的光學(xué)部件即可實(shí)現不同功能之間的切換。

低溫強磁場(chǎng)磁力顯微鏡 - attoMFM I 系統 

attoMFM I采用緊湊設計，其主要用于低溫和極低溫環(huán)境中。在掃描時(shí)，探針是固定的，而進(jìn)行樣品掃描。樣品與探針之間的磁力梯度由光纖干涉的模式，通過(guò)測量共振頻率或相位變化而確定。 

在實(shí)驗過(guò)程中，樣品和探針保持***定的距離，典型值為10-100nm。工作在共振頻率模式時(shí)，PLL用于激發(fā)微懸臂，進(jìn)行閉環(huán)掃描，實(shí)現極高的空間分辨率（10.7nm，如下圖）。 

attoMFM I特點(diǎn)與技術(shù)優(yōu)勢

+ 工作模式：MFM、接觸式/半接觸式/非接觸模式AFM、導電AFM、EFM

+ 可升***到SHPM、共聚焦顯微鏡、SNOM和STM

+ 5X5X5mm粗定位范圍，4K

+ 30umX30um掃描范圍，4K

+ MFM極高空間分辨率：好于11nm

+ 變溫范圍：mK - 373K

+ 兼容強磁場(chǎng)：可達15Tesla

+ 兼容1"和2"孔徑的磁體與恒溫器，如Quantum Design-PPMS系統 

+ 極其緊湊和可靠MFM掃描頭設計

+ 閉環(huán)式掃描模式

+ 外置CCD，用于檢測低溫環(huán)境中樣品的位置

+ 用于超導體的vortex分布與定扎測量

+ 磁性顆粒的局域場(chǎng)測量

+ 磁化率和磁滯回線(xiàn)測量 

+ 超導、磁疇、材料科學(xué)研究

attoMFM I技術(shù)參數

+ 樣品定位范圍：5 X 5 X 5mm，4K

+ 樣品位移步長(cháng)：0.05 -3um @ 300K， 10 -500nm @ 4K

+ 掃描范圍：40X40 um @300K；30X30 um @4K

+ 磁場(chǎng)強度： 0 -15Tesla (取決于磁體）

+ 變溫范圍：mK - 300K （取決于恒溫器）

+ 工作真空環(huán)境：1X10-6mbar - 1bar（He交換氣氛）

+ MFM側向分辨率：好于20nm

+ RMS z-noise水平（4K）：0.05nm

+ z bit分辨率（全范圍內）：7.6pm

+ z bit分辨率（掃描范圍內）：0.12pm 

低溫強磁場(chǎng)掃描霍爾顯微鏡- attoSHPM系統

attoSHPM采用緊湊設計，其主要用于低溫和極低溫環(huán)境中。其探針是采用MBE生長(cháng)的GaAs/AlGaAs霍爾傳感器。局域測量通過(guò)霍爾探針在樣品表面進(jìn)行掃描而實(shí)現，將測得的霍爾電壓進(jìn)行轉換，即可計算出局域磁場(chǎng)強度。

attoSHPM特點(diǎn)與技術(shù)優(yōu)勢

+ 可升***到MFM、接觸式/半接觸式/非接觸模式AFM、導電AFM、EFM、共聚焦顯微鏡、SNOM和STM 

+ 5X5X5mm粗定位范圍，4K

+ 30umX30um掃描范圍，4K

+ 變溫范圍：mK - 373K

+ 兼容強磁場(chǎng)：可達15Tesla

+ 兼容1"和2"孔徑的磁體與恒溫器，如Quantum Design-PPMS系統 

+ 極其緊湊和可靠SHPM掃描頭設計 

+ 定量和非破壞性磁性測量，mK溫度

+ 閉環(huán)式掃描模式

+ 用于超導體的vortex分布與定扎測量

+ 磁性顆粒的局域場(chǎng)測量

+ 磁化率和磁滯回線(xiàn)測量 

+ 超導、磁疇、材料科學(xué)研究

attoSHPM技術(shù)參數

+ 利用STM原理/音叉模式探測樣品與探針之間的距離
+ 樣品定位范圍：5 X 5 X 5mm，4K

+ 樣品位移步長(cháng)：0.05 -3um @ 300K， 10 -500nm @ 4K

+ 掃描范圍：40X40 um @300K；30X30 um @4K

+ 磁場(chǎng)強度： 0 -15Tesla (取決于磁體）

+ 變溫范圍：mK - 300K （取決于恒溫器）

+ 工作真空環(huán)境：1X10-6mbar - 1bar（He交換氣氛）

+SHPM探針：MBE生長(cháng)的GaAs/AlGaAs異質(zhì)結

+ 分辨率：250nm超高分辨 

+ z bit分辨率，300K ：0.065nm，4.3um掃描范圍

+ 側向（xy）bit分辨率，4K：0.18nm，12um掃描范圍

+ z bit分辨率，4K：0.030nm，2um掃描范圍