PlasmaPro 100 Estrelas牛津深硅刻蝕系統

 

PlasmaPro 100 Estrelas 平臺旨在提供深硅蝕刻（DSiE）領(lǐng)域的全方位的靈活性以滿(mǎn)足微電子機械系統（MEMS）、 封裝以及納米技術(shù)市場(chǎng)的各種工藝要求?？紤]到研究和生產(chǎn)的市場(chǎng)發(fā)展，PlasmaPro 100 Estrelas 提供了更加出色的工藝靈活性。

· 光滑側壁工藝

· 高刻蝕速率腔刻蝕

· 高深寬比工藝

· 錐形通孔刻蝕

· 廣泛的應用領(lǐng)域

· 機械或靜電壓盤(pán)

· 加熱內襯          

· 改善重復性

· 延長(cháng)了兩次清洗間的平均時(shí)間間隔（MTBC）

概述:

PlasmaPro 100 Estrelas平臺旨在確保覆蓋MEMS，封裝和納米技術(shù)的廣泛應用，從光滑側壁工藝到高刻蝕速率腔刻蝕、高深寬比工藝和錐形通孔刻蝕，不需要更換腔室硬件就可以實(shí)現。

特征:

硬件設計使同***腔室中可進(jìn)行Bosch™和超低溫刻蝕工藝，使得納米和微米結構刻蝕均可實(shí)現。

兼容50mm至200mm的襯底 - 確保您只需***臺系統，便具備從研發(fā)器件到量產(chǎn)的能力

自動(dòng)匹配 - 擁有工藝靈活性

更高流量的質(zhì)量流量計以及等離子發(fā)生器 - 自由基密度更高

減小的腔體尺寸和高效率的泵 - 確保氣體高速流通

快速近距離耦合質(zhì)量流量計 - 快速控制（初始為ALD而開(kāi)發(fā)）

應用:

· 硅 Bosch和超低溫刻蝕工藝

· 二氧化硅和石英刻蝕