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PlasmaPro 80是***種結構緊湊且使用方便的小型直開(kāi)式系統，可以提供多種刻蝕和沉積的解決方案。 它易于放置，便于使用，且能夠確保工藝性能。直開(kāi)式設計可實(shí)現快速晶圓裝卸，是科學(xué)研究、原型設計和小批量生產(chǎn)的理想選擇。 它通過(guò)優(yōu)化的電極冷卻和出色的襯底溫度控制來(lái)實(shí)現高性能工藝。

。直開(kāi)式設計允許快速裝卸晶圓
。出色的刻蝕控制和速率測定
。出色的晶圓溫度均勻性
。晶圓可達200mm
。購置成本低
。符合半導體行業(yè) S2 / S8標準

應用:

· III-V族刻蝕工藝

· 硅 Bosch和超低溫刻蝕工藝

· 類(lèi)金剛石

· 類(lèi)金剛石（DLC）沉積

· 二氧化硅和石英刻蝕

· 用特殊配置的PlasmaPro FA設備進(jìn)行失效分析的干法刻蝕解剖逆工藝，可處理封裝好的芯片, 裸晶片，以及200mm晶圓

· 高質(zhì)量PECVD沉積氮化硅和二氧化硅，用于光子學(xué)、電介質(zhì)層、鈍化以及諸多其它用途

· 用于高亮度LED生產(chǎn)的硬掩模沉積和刻蝕

系統特點(diǎn):

· 小型系統——易于安置

· 優(yōu)化了的電極冷卻——襯底溫度控制

· 高導通的徑向（軸對稱(chēng)）抽氣結構—— 確保提升了工藝均勻性和速率

·  增加<500毫秒的數據記錄功能——可追溯腔室和工藝條件的歷史記錄

·  近距離耦合渦輪泵——提供優(yōu)越的泵送速度加快氣體的流動(dòng)速度

·  關(guān)鍵部件容易觸及——系統維護變得直接簡(jiǎn)單

· X20控制系統——大幅提高了數據信息恢復功能， 同時(shí)可以實(shí)現更快更可重復的匹配

·  通過(guò)前端軟件進(jìn)行設備故障診斷——故障診斷速度快

· 用干涉法進(jìn)行激光終點(diǎn)監測——在透明材料的反射面上測量刻蝕深度 (例如硅上的氧化物)，或者用反射法來(lái)確定非透明材料 (如金屬) 的邊界

· 用發(fā)射光譜（OES）實(shí)現較大樣品或批量工藝的終點(diǎn)監測—— 監測刻蝕副產(chǎn)物或反應氣體的消耗量的變化，以及用于腔室清洗的終點(diǎn)監測