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PlasmaPro 80 ICP是***種結構緊湊、小型且使用方便的直開(kāi)式系統，可提供多種刻蝕解決方案。 它易于放置，便于使用，且能夠確保工藝質(zhì)量。直開(kāi)式設計允許快速的進(jìn)行晶圓裝卸，是科學(xué)研究、原型設計和少量生產(chǎn)的理想選擇。 該設備通過(guò)優(yōu)化了的電極冷卻技術(shù)和出色的襯底溫度控制來(lái)實(shí)現高度穩定的工藝結果。

。直開(kāi)式設計允許快速裝卸晶圓
。出色的刻蝕深度和刻蝕速率控制
。出色的晶圓溫度均勻性
。晶圓可達200mm
。購置成本低
。符合半導體行業(yè) S2 / S8標準

應用:

· III-V族材料刻蝕工藝

· 硅 Bosch和超低溫刻蝕工藝

· 二氧化硅和石英刻蝕

· 用于失效分析的干法刻蝕解剖工藝，可處理封裝好的芯片、 裸晶片以及200mm晶圓

· 用于高亮度LED生產(chǎn)的硬掩模的沉積和刻蝕

特點(diǎn):

· 小型系統 —— 易于安置

· 優(yōu)化的電極冷卻系統 —— 襯底溫度控制

· 高導通的徑向（軸對稱(chēng)）抽氣結構 —— 確保能提升工藝均勻性和速率

· 增加<500毫秒的數據記錄功能 —— 可追溯腔室和工藝條件的歷史記錄

· 近距離耦合渦輪泵 —— 抽速高迅速達到所要求的低真空度

· 關(guān)鍵部件容易觸及 ——系統維護變得直接簡(jiǎn)單

· X20控制系統——大幅提高了數據信息處理能力， 并且可以實(shí)現更快更可重復的匹配

· 通過(guò)前端軟件進(jìn)行設備故障診斷 —— 故障診斷速度快

· 用干涉法進(jìn)行激光終點(diǎn)監測 —— 在透明材料的反射面上測量刻蝕深度 (例如硅上的氧化物)，或者用反射法來(lái)確定非透明材料 (如金屬) 的邊界

· 用發(fā)射光譜（OES）實(shí)現較大樣品或批量工藝的終點(diǎn)監測 —— 監測刻蝕副產(chǎn)物或反應氣體的消耗量的變化，以及用于腔室清洗的終點(diǎn)監測