標準型原子層沉積機ALD
價(jià) 格:詢(xún)價(jià)
產(chǎn) 地:更新時(shí)間:2021-01-19 15:36
品 牌:型 號:PICOSUN R-200
狀 態(tài):正常點(diǎn)擊量:1475
400-006-7520
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PICOSUN™ R-200標準型ALD
技術(shù)參數
。襯底尺寸和類(lèi)型 50-200 mm /單片
。156 mm x 156 mm太陽(yáng)能硅片
。3D 復雜表面襯底
。粉末與顆粒
。多孔,通孔,高深寬比(HAR)樣品
。工藝溫度 :50 - 500 °C , 可選更高溫度
?;瑐魉瓦x件 :氣動(dòng)升降(手動(dòng)裝載) ,預真空室安裝磁力操作機械手(Load lock )
。前驅體 液態(tài)、固態(tài)、氣態(tài)、臭氧源 ,4根獨立源管線(xiàn),*多加載6個(gè)前驅體源
。重量 :350 kg
。尺寸: (W x H x D) 取決于選件
-*小146 cm x 146 cm x 84 cm
-189 cm x 206 cm x 111 cm
。選件 :PICOFLOW™擴散增強器,集成橢偏儀,QCM, RGA,N2 發(fā)生器,尾氣處理器,定制設 計,手套箱集成(用于惰性氣體下裝載)
。驗收標準 :標準設備驗收標準為 Al2O3工藝

PICOSUN™ R系列設備提供高質(zhì)量ALD薄膜的沉積技術(shù),并在各種各樣的襯底上都表現極佳的均勻性,包括*具挑戰性的通孔的、超高深寬比和顆粒等樣品。
我們?yōu)橐后w、氣體和固體化學(xué)物提供的更高***的,易更換的前驅源系統,能夠在晶圓、3D樣品和各種納米特性的樣品上生長(cháng)顆粒度*小的薄膜層。 在*基本的PICOSUN™ R系列配置中可以選擇多個(gè)獨立的,完全分離的源入口匹配多種類(lèi)型的前驅源。
