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芬蘭 PICOSUN 原子層沉積機

價(jià)  格：詢(xún)價(jià)

產(chǎn)  地：更新時(shí)間：2021-01-19 15:36

品  牌：型  號：R-200 標準型

狀  態(tài)：正常點(diǎn)擊量：1787

400-006-7520
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上海非利加實(shí)業(yè)有限公司

聯(lián) 系 人： 上海非利加實(shí)業(yè)有限公司

電   話(huà)： 400-006-7520

傳   真： 400-006-7520

配送方式： 上海自提或三方快遞

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芬蘭 PICOSUN R-200標準型ALD
詳細介紹
PICOSUN™ R-200標準型ALD

技術(shù)參數

。襯底尺寸和類(lèi)型 50-200 mm /單片
。156 mm x 156 mm太陽(yáng)能硅片
。3D 復雜表面襯底
。粉末與顆粒
。多孔，通孔，高深寬比（HAR）樣品
。工藝溫度 ：50 - 500 °C , 可選更高溫度
?；瑐魉瓦x件 ：氣動(dòng)升降（手動(dòng)裝載） ，預真空室安裝磁力操作機械手（Load lock ）
。前驅體 液態(tài)、固態(tài)、氣態(tài)、臭氧源 ，4根獨立源管線(xiàn)，*多加載6個(gè)前驅體源
。重量 ：350 kg
。尺寸： (W x H x D) 取決于選件
-*小146 cm x 146 cm x 84 cm
-189 cm x 206 cm x 111 cm
。選件 ：PICOFLOW™擴散增強器，集成橢偏儀，QCM， RGA，N2 發(fā)生器，尾氣處理器，定制設 計，手套箱集成（用于惰性氣體下裝載）
。驗收標準 ：標準設備驗收標準為 Al2O3工藝

  

PICOSUN™ R系列設備提供高質(zhì)量ALD薄膜的沉積技術(shù)，并在各種各樣的襯底上都表現極佳的均勻性，包括*具挑戰性的通孔的、超高深寬比和顆粒等樣品。
我們?yōu)橐后w、氣體和固體化學(xué)物提供的更高***的，易更換的前驅源系統，能夠在晶圓、3D樣品和各種納米特性的樣品上生長(cháng)顆粒度*小的薄膜層。 在*基本的PICOSUN™ R系列配置中可以選擇多個(gè)獨立的，完全分離的源入口匹配多種類(lèi)型的前驅源。
    
 

產(chǎn)品參數


產(chǎn)品介紹




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