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PE-ALD 等離子體增強原子層沉積

原子層沉積（ALD）是在3D結構上逐層沉積超薄薄膜的工藝方法。薄膜厚度和特性的精確控制通過(guò)在工藝循環(huán)過(guò)程中在真空腔室分步加入前置物實(shí)現。等離子增強原子層沉積（PEALD）是用等離子化的氣態(tài)原子替代水作為氧化物來(lái)增強ALD性能的方法。

SENTECH基于多年研發(fā)制造PECVD和ICPECVD的經(jīng)驗，包括專(zhuān)有的PTSA技術(shù)，推出***臺PEALD設備。新的ALD設備應用SENTECH橢偏儀，使熱輔助和等離子輔助的操作和沉積過(guò)程都能得到監控。
SENTECH使用激光橢偏儀和寬量程分光橢偏儀的前沿技術(shù)——超快在線(xiàn)橢偏儀來(lái)監控逐層膜生長(cháng)。
***臺PEALD設備已經(jīng)在布倫瑞克科技大學(xué)（TU Braunschweig）投入使用，用于生長(cháng)超高均勻性和密度的氧化膜，如Al2O3和ZnO等。
在A(yíng)l2O3沉積過(guò)程中，三甲基鋁（TMA）等離子產(chǎn)生的氧原子反應，襯底溫度為80到200℃。PEALD薄膜厚度均勻性高、折射率變化小的特點(diǎn)。

下圖是ALD與PEALD的沉積結果對比