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SENTECH SI 500 電感耦合等離子體ICP干法刻蝕系統
 

商品描述：

感應耦合等離子刻蝕機臺，低損傷納米結構刻蝕，高速率刻蝕，內置ICP等離子源，動(dòng)態(tài)溫控

Low damage for nano structuring 納米結構低損傷刻蝕 
由于等離子的能量分布低，從而能實(shí)現低損傷刻蝕和納米結構刻蝕。 
Simple high rate etching 簡(jiǎn)單高速率刻蝕 
MEMS制造工藝中，Si材料光滑側壁的高速高選擇比刻蝕，可以很容易的通過(guò)室溫或低溫工藝實(shí)現。 

Inhouse ICP plasma source 內置ICP等離子源 
平板三螺旋天線(xiàn)（PTSA）等離子源是SENTECH獨有的高端等離子工藝系統。PTSA能產(chǎn)生高密度低能量分布的等離子體。在多種材料刻蝕工藝中都能實(shí)現高效率耦合及穩定起輝 

Dynamic temperature control 動(dòng)態(tài)溫控 
襯底溫度設定和工藝過(guò)程中的穩定性是影響刻蝕工藝質(zhì)量的重要因素。ICP襯底電極結合背面氦氣冷卻和溫度傳感器進(jìn)行動(dòng)態(tài)溫控，工藝溫度范圍為-150 °C 至 +400 °C。 

SI500代表著(zhù)研發(fā)和生產(chǎn)領(lǐng)域ICP工藝的水平。它具有 基于動(dòng)態(tài)溫控背電極、平板三螺旋天線(xiàn)等離子源和全自動(dòng)控制的真空系統，SENTECH控制軟件應用遠程控制總線(xiàn)技術(shù)的以及友好的用戶(hù)界面。SI500可以進(jìn)行200mm的晶圓片刻蝕。單片真空裝片裝置保證了工藝穩定性，同時(shí)保證工藝可以靈活切換。 
SI500刻蝕機可以實(shí)現多種材料的刻蝕，包括III-V族化合物半導體，電介質(zhì)，石英，玻璃，硅、硅化物和金屬。 
SENTECH面向高靈活性和高產(chǎn)能的刻蝕和沉積系統提供各種***別的自動(dòng)化裝置，從預真空系統到6端口的多工藝腔室裝置。SI500可以作為多腔室工藝模塊。 

型號：SI500 
ICP plasma etcher 
With vacuum loadlock 
For up to 200 mm wafers 
Substrate temperature from -20 °C to 300 °C 

型號：SI500C 
Cryogenic ICP plasma etcher 
With transfer chamber ａnd vacuum loadlock 
Substrate temperature from -150 °C to 400 °C 

型號：SI500-RIE 
RIE plasma etcher 
Smart solution for He backside cooled etching 
Capacitive coupled plasma source, 
upgradable to ICP plasma source PTSA 200 

型號：SI500-300 
ICP plasma etcher 
With vacuum loadlock 
For 300 mm wafers