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型號：Zeiss Sigma SEM

主要功能：
·利用曝光抗蝕劑，采用電子束直接曝光，可在各種襯底材料表面直寫(xiě)各種圖形，圖形結構（*小線(xiàn)寬為10mm），是研究材料在低維度、小尺寸下量子行為的重要工具。廣泛應用于納米器件，光子晶體，低維半導體等前沿領(lǐng)域。

·技術(shù)指標：
·肖特基熱場(chǎng)發(fā)射電子源
·加速電壓：100V～30kV
·放大倍率：12X～1000,000X
·SEM分辨率：1nm@30kV,1.5nm (15kV),2.8nm（1kV）
·電子束曝光：10nm（20kV）
·場(chǎng)拼接精度：<100nm
·掃描頻率：6MHz
·圖形格式：GDSII

Zeiss Sigma SEM electron beam direct writer

Main functions:

· direct exposure of electron beam with exposure resist can be used to directly write various patterns on the surface of various substrate materials. Graph structure (minimum line width of 10mm) is an important tool for studying the quantum behavior of materials in low dimensions ａnd small sizes.Widely used in nano-devices, photonic crystals, low - dimensional semiconductor ａnd other frontier fields.