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翹曲度測量?jì)x是特別為半導體晶圓（wafer）和太陽(yáng)能電池（solar cell）的翹曲度（warp） 和彎曲度（bow）以及表面形貌（topography）的測量而設計，可以測量晶圓翹曲度（wafer warpage） 和晶圓表面形貌, 晶圓應力,硅片張力,太陽(yáng)能電池量子效率.

是全球范圍內功能強大的儀器，***套儀器可以測量：熱沉，晶圓（wafer）,太陽(yáng)能電池和玻璃的 翹曲度，應力以及表面形貌。
適合光伏電池翹曲度測量,太陽(yáng)能電池翹曲度,晶圓翹曲度測量,硅片翹曲度測量,晶片翹曲度測量。

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這套翹曲度測量?jì)x,翹曲度檢測儀,翹曲度測試儀既適合科研單位使用，也適合工業(yè)客戶(hù)大產(chǎn)品、高效率的晶圓翹曲度和表面形貌的檢測的需要。

我們還根據不同晶圓類(lèi)型提供如下兩種硅片翹曲度測量?jì)x：
1. 非反射型：適合晶圓表面覆蓋晶圓保護膜/膠帶（wafer tape），圖案化晶圓 /圖樣化晶圓（patterned wafer），粗糙的晶圓的應用；
2. 高反射型： 適合晶圓表面光滑 / 鏡反射的應用。

主要特點(diǎn)：
× 適合不同尺寸的晶圓檢測，從0.5’‘到12＇＇的直徑；
* 標準檢測能力為： 每小時(shí)可檢測2000個(gè)晶圓或更多太陽(yáng)能電池；
× 同時(shí)測量多個(gè)晶圓或太陽(yáng)能電池；
× 測量鍍膜后的晶圓或solar cell;
* 分析太陽(yáng)能電池或晶圓應力和張力；
*  對晶圓表面進(jìn)行圖像分析；
* 測量圖案化晶圓或非圖案化的晶圓；
*  具有太陽(yáng)能電池的量子效率測量選項供選擇

主要參數：
× 翹曲度測量范圍：1-20微米；
* 重復精度： 百分之0.5 （1 sigma）;
* 給出結果：曲率半徑,晶圓彎曲高度，翹曲度，測量日期和時(shí)間；
* RMS粗糙度mapping: 0.5-20A （可選項）；
*光源：根據用戶(hù)的應用而配備不同光源；
* 探測器：高分辨率探測器陣列并配備亞像素軟件；

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