薄膜熱應力測試系統（TST ）
薄膜熱應力測試系統，采用測量光學(xué)設計 MOS 傳感器，MOS 傳感器榮獲美***，可快速準確地測量薄膜的曲率、應力強度、隨溫度變化的曲線(xiàn)關(guān)系等。
產(chǎn)品特點(diǎn)
獲得美***技術(shù)的 MOS 多光束技術(shù)（二維激光陣列）
采用真空和低壓氣體保護，可進(jìn)行溫度范圍-100~1200°C（多種溫度范圍可選）的變溫測量
樣品快速熱處理和冷處理功能
溫度閉環(huán)控制保證極佳的溫度均勻性和精度
實(shí)時(shí)的應力、曲率 VS 溫度曲線(xiàn)
程序化控制掃描模式：選定區域、多點(diǎn)線(xiàn)性?huà)呙?、全面積掃描
成像功能：樣品表面 2D 曲率成像，定量薄膜應力成像分析
測量功能：曲率、曲率半徑、薄膜應力、薄膜應力分布和翹曲等
氣體（氮氣、氬氣和氧氣等）Delivery 系統
可采用泵入液氮冷卻,冷卻速率 100°C/min
技術(shù)原理
本測試系統采用非接觸 MOS 激光技術(shù)；不但可以對薄膜的應力、表面曲率和翹曲進(jìn)行精確的
測量，而且還可二維應力 Mapping 成像統計分析；同時(shí)可精確測量應力、曲率隨溫度變化的關(guān)系。
激光部分和檢測器固定在同***框架上，這種設計始終保證所有陣列的激光光點(diǎn)始終在同***頻率
運動(dòng)或掃描，從而有效避免了外界振動(dòng)對測試結果的影響；同時(shí)大大提高測試的分辨率；適合各種
材質(zhì)和厚度薄膜應力分析。
技術(shù)參數
溫度范圍 -100~1200°C( 多種溫度范圍可選)
溫度速率 加熱 >10°C/秒
冷卻
600°C， 50°C/分鐘
400°C 到室溫， 5°C/分鐘 （可擴展更快的升溫和降溫速率）
溫度均勻性 ± 2 °C
溫度穩定性 ± 1 %
平均傾斜重復性 < 1μrad
平均曲率重復性 < 2×10E -5 1/m
應力測量范圍 幾十 KPa ~ 幾十 GPa
空間掃描分辨率 高達 1μm
（用戶(hù)可調）
曲率分辨率 室溫 100Km，高溫 20Km
實(shí)時(shí)熱應力測量分析 30 點(diǎn)/秒
真空腔室真空度 10 mTorr
測量基片尺寸 標配 200mm（100mm 和 300mm 可選）
應用
本測試系統現在用于全球科研或者生產(chǎn)企業(yè)中薄膜原位應力監測和控制。
應用于金屬薄膜，介電薄膜、濾光片膜、平板玻璃、300mm 半導體集成電路板、薄膜電池、
MBE 和 MOCVD 薄膜制備和退火過(guò)程的熱應力監控等領(lǐng)域。
滬公網(wǎng)安備31011502016460號
