透射電鏡(TEM)用氮化硅薄膜窗口
價(jià) 格:詢(xún)價(jià)
產(chǎn) 地:更新時(shí)間:2021-01-18 15:20
品 牌:型 號:TEM-SN
狀 態(tài):正常點(diǎn)擊量:1005
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SHNTI的X-射線(xiàn)薄膜窗能夠實(shí)現軟X-射線(xiàn)(如真空紫外線(xiàn))的透射率。主要用于同步輻射X射線(xiàn)透射顯微成像時(shí)承載樣品。 X-射線(xiàn)越軟(能量越低),穿透能力越差,所需氮化硅薄膜窗越薄。特別在“離軸”狀態(tài)工作(即薄膜與光束成***定角度)時(shí),也需要較薄的薄膜窗口,便于X射線(xiàn)更好地穿透。
SHNTI提供的氮化硅薄膜窗口是利用現代MEMS技術(shù)制備而成,由于此種氮化硅窗口選用低應力氮化硅(0-250MP)薄膜,因此比計量式和ST氮化硅薄膜更堅固耐用。SHNTI提供的氮化硅薄膜窗口非常適合應用于透射成像和透射能譜等廣泛的科學(xué)研究領(lǐng)域,例如,X-射線(xiàn)(上海光源透射成像/能譜線(xiàn)站)、TEM、SEM、IR、UV等。
現在SHNTI可以提供X-射線(xiàn)顯微成像/能譜(同步輻射)用氮化硅薄膜窗系列產(chǎn)品,規格如下:
外框尺寸 (4種標準規格):
5 mm x 5 mm (窗口尺寸:1.0 mm 或和 1.5 mm 方形)
7.5 mm x 7.5 mm (窗口尺寸:2.0 mm 或 2.5 mm)
10 mm x 10 mm (窗口尺寸:3.0 mm 或 5 mm 方形)
邊框厚度: 200μm、381μm、525μm。
Si3N4薄膜厚度:50、100、150和200nm
SHNTI也可以為用戶(hù)定制產(chǎn)品(30-500nm),但要100片起訂。
本產(chǎn)品為***次性產(chǎn)品,SHNTI不建議用戶(hù)重復使用,本產(chǎn)品不能進(jìn)行超聲清洗,適合化學(xué)清洗、輝光放電和等離子體清洗。
與X射線(xiàn)用氮化硅窗口類(lèi)似,透射電鏡(TEM)用氮化硅薄膜窗口也使用低應力氮化硅薄膜基底。但整體尺度更小,適合TEM裝樣的要求。窗口有單窗口和多窗口陣列等不同規格。同時(shí)SHNTI也定制多孔氮化硅薄膜窗口。
現在SHNTI可以提供透射電鏡(TEM)用氮化硅薄膜窗系列產(chǎn)品,規格如下:
外框尺寸:
3 mm x 3 mm (窗口尺寸:0.5 mm,薄膜厚度:50 nm) 3 mm x 3 mm (窗口尺寸:1.0 mm,薄膜厚度:50 nm) 3 mm x 3 mm (窗口尺寸:1.0 mm,薄膜厚度:100 nm) 邊框厚度: 200μm、381μm。
Si3N4薄膜厚度: 50nm、100nm
SHNTI也可以為用戶(hù)定制產(chǎn)品(30-200nm),但要100片起訂。
本產(chǎn)品為***次性產(chǎn)品,SHNTI不建議用戶(hù)重復使用,本產(chǎn)品不能進(jìn)行超聲清洗,適合化學(xué)清洗、輝光放電和等離子體清洗。
技術(shù)指標:
表面平整度:
我們認為薄膜與其下的硅片同樣平整, TEM用氮化硅薄膜窗口的表面粗糙度為:0.6-2nm。完全適用于TEM表征。
親水性
該窗格呈疏水性,如果樣品取自水懸浮液,懸浮微粒則不能均勻地分布在薄膜上。用等離子蝕刻機對薄膜進(jìn)行親水處理,可暫時(shí)獲得親水效果。雖然沒(méi)有對其使用壽命進(jìn)行過(guò)測試,但預期可以獲得與同樣處理的鍍碳TEM網(wǎng)格相當的壽命。我們可以生產(chǎn)此種蝕刻窗格,但無(wú)法保證其使用壽命。如果實(shí)驗室有蝕刻工具也可對其進(jìn)行相應的處理提高其親水性能。
溫度特性:
氮化硅薄膜窗口產(chǎn)品是耐高溫產(chǎn)品,能夠承受1000度高溫,非常適合在其表面利用CVD方法生長(cháng)各種納米材料。
化學(xué)特性:
氮化硅薄膜窗口是惰性襯底。
應用簡(jiǎn)介和優(yōu)點(diǎn):
1、 適合TEM、SEM、AFM、XPS、EDX等的對同***區域的交叉配對表征。
2、 大窗口尺寸,適合TEM大角度轉動(dòng)觀(guān)察。
3、 無(wú)碳、無(wú)雜質(zhì)的清潔TEM觀(guān)測平臺。
4、 背景氮化硅無(wú)定形、無(wú)特征。
5、 耐高溫、惰性襯底,適應各種聚合物、納米材料、半導體材料、光學(xué)晶體材料和功能薄膜材料的制備環(huán)境,(薄膜直接沉積在窗口上)。
6、 生物和濕細胞樣本的理想承載體。特別是在等離子體處理后,窗口具有很好的親水性。。
7、 耐高溫、惰性襯底,也可以用于化學(xué)反應和退火效應的原位表征。
8、 適合做為膠體、氣凝膠、有機材料和納米顆粒等的表征實(shí)驗承載體。
氮化硅薄膜應用范圍非常廣,甚至有時(shí)使不可能變?yōu)榭赡?,但所有應用都有無(wú)氮要求(因樣本中有氮存在):
惰性基片可用于高溫環(huán)境下,通過(guò)TEM、SEM或AFM(某些情況下)對反應進(jìn)行動(dòng)態(tài)觀(guān)察。
作為耐用基片,***先在TEM下,然后在SEM下對同***區域進(jìn)行“匹配”。
作為耐用匹配基片,對AFM和TEM圖像進(jìn)行比較。
聚焦離子束(FIB)樣本的裝載,我們推薦使用多孔薄膜,而非不間斷薄膜。
許多研究納米微粒,特別是含氮納米微粒的人員發(fā)現此種薄膜窗格在他們實(shí)驗中不可缺少。氣凝膠和干凝膠的基本組成微粒尺寸極小,此項研究人員也同樣會(huì )發(fā)現氧化硅薄膜窗格的價(jià)值。
優(yōu)點(diǎn):
• SEM應用中,薄膜背景不呈現任何結構和特點(diǎn)。
• x-射線(xiàn)顯微鏡中,裝載多個(gè)分析樣的方法。
• 無(wú)氮
高溫應用,氮化硅薄膜在1000°C高溫下仍能保持穩定的性能。
使用前清潔:
氮化硅薄膜窗格在使用前不需進(jìn)行額外清潔。有時(shí)薄膜表面邊角處會(huì )散落個(gè)別氧化物或氮化物碎片。由于單片網(wǎng)格需要從整個(gè)硅片中分離,并對外框進(jìn)行打磨,因此這些微小碎片不可避免。盡管如此,我們相信這些碎片微粒不會(huì )對您的實(shí)驗產(chǎn)生任何影響。
如果用戶(hù)確實(shí)需要對這些碎片進(jìn)行清理,我們建議用H2SO4 : H2O2 (1:1)溶液清潔有機物,用H2O:HCl: H2O2 (5:3:3)溶液清潔金屬。
通常不能用超聲波清洗器清潔薄膜,因超聲波可能使其粉碎性破裂。
詳細情況,您可以與我們取得聯(lián)系。我們?yōu)槟?*****解答。
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