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現象描述：

樣品在電鏡中長(cháng)時(shí)間成像，或進(jìn)行EDX成分分析過(guò)程中，可能會(huì )在測試區域形成“黑色方框”，這通常是由聚合物碳沉積引起。

成因分析：

當高能電子撞擊樣品表面時(shí)，它們產(chǎn)生大量低能二次電子（SE）。SE由于其較低的速度而與環(huán)境污染物氣體分子具有高得多的相互作用面。它們分解有機污染，并在成像區域周?chē)斐?/span>“碳沉積”（碳氫化合物或烴）。當表面被薄層烴覆蓋時(shí)，二次電子產(chǎn)率將降低。

負面影響：

由于積碳影響，電子暴光區域將比周?chē)奈雌毓鈪^域更暗，減少了電子顯微鏡圖像中的材料對比度。研究表明，導電性越好，二次電子產(chǎn)額越高的樣品，其發(fā)生碳沉積也越快。原因在于，對于這類(lèi)觀(guān)察樣品，表面碰撞出SE越多，所以導致相互作用在表面生成的烴也越多越快。甚至隨碳積影響，表面會(huì )累積電荷導致無(wú)法清晰成像。

更有甚者，碳氫化合物污染嚴重的時(shí)候，可能會(huì )導致電子光學(xué)成像部件及探測器等污染，使電子束及成像漂移。

解決方案：

離子源通入氧氣后產(chǎn)生的等離子體被電磁場(chǎng)束縛于離子源內部， O活性自由基與SEM腔室內碳氫化合物反應生成CO2，CO及H2O等被真空機組抽走，*終實(shí)現SEM腔室/樣品積碳清洗之目的，同時(shí)提高SEM成像分辨率及襯度，縮短電鏡抽真空時(shí)間。