自動(dòng)化工業(yè)***原子力顯微鏡,帶來(lái)線(xiàn)上晶片檢查和測量
Park Systems推出業(yè)內噪聲的全自動(dòng)化工業(yè)***原子力顯微鏡――XE-Wafer。該自動(dòng)化原子力顯微鏡系統旨在為全天候生產(chǎn)線(xiàn)上的亞米***晶體(尺寸200 mm和300 mm)提供線(xiàn)上高分辨率表面粗糙度、溝槽寬度、深度和角度測量。借助True Non-Contact?模式,即便是在結構柔軟的樣品,例如光刻膠溝槽表面,XE-Wafer可以實(shí)現無(wú)損測量。
現有問(wèn)題
目前,硬盤(pán)和半導體業(yè)的工藝工程師使用成本高昂的聚焦離子束(FIB)/掃瞄式電子顯微鏡(SEM)獲取納米***的表面粗糙度、側壁角度和高度。不幸的是,FIB/SEM會(huì )破壞樣品,且速度慢,成本高昂。
解決方案
NX-Wafer原子力顯微鏡實(shí)現全自動(dòng)化的在線(xiàn)200 mm & 300 mm晶體表面粗糙度、深度和角度測量,且速度快、精度高、成本低。
益處
NX-Wafer讓無(wú)損線(xiàn)上成像成為可能,并實(shí)現多位置的直接可重復高分辨率測量。更高的精確度和線(xiàn)寬粗糙度監控能力讓工藝工程師得以制造性能更高的儀器,且成本顯著(zhù)低于FIB/SEM。
* 應用
串擾消除實(shí)現無(wú)偽影測量
? 獨特的解耦XY軸掃描系統提供平滑的掃描平臺
? 平滑的線(xiàn)性XY軸掃描將偽影從背景曲率中消除
? 精確的特征特亮和行業(yè)的儀表統計功能
? 卓越的工具匹配
CD(臨界尺寸)測量
出眾的精確且精密納米測量在提高效率的同時(shí),也為重復性與再現性研究帶來(lái)的分辨率和的儀表西格瑪值。

* 精密的納米測量
媒介和基體亞納米粗糙度測量
憑借行業(yè)的噪聲和創(chuàng )新的True Non-ContactTM模式,XE-Wafer在*平滑的媒介和基體樣品上實(shí)現*精確的粗糙度測量。
精確的角度測量
Z軸掃描正交性的高精度校正讓角度測量時(shí)精確度小于0.1度。

溝槽測量
獨有的True Non-Contact模式能夠線(xiàn)上無(wú)損測量小至45 nm的腐蝕細節。

精確的硅通孔化學(xué)機械研磨輪廓測量
借助低系統噪聲和平滑輪廓掃描功能,Park Systems實(shí)現了前所未有的硅通孔化學(xué)機械研磨(TSV CMP)輪廓測量。

* Park NX-Wafer特點(diǎn)
全自動(dòng)圖形識別
借助強大的高分辨率數字CCD鏡頭和圖形識別軟件,Park NX-Wafer讓全自動(dòng)圖形識別和對準成為可能。
自動(dòng)測量控制
自動(dòng)化軟件讓NX-Wafer的操作不費吹灰之力。測量程序針對懸臂調諧、掃描速率、增益和點(diǎn)參數進(jìn)行優(yōu)化,為您提供多位置分析。
真正非接觸模式和更長(cháng)的探針使用壽命
得益于的高強度Z軸掃描系統,XE系列原子力顯微鏡讓真正非接觸模式成為可能。真正非接觸模式借助了原子間的相互吸引力,而非相互排斥力。
因此,在真正非接觸模式下,探針與樣品間的距離可以保持在幾納米,從而蓋上原子力顯微鏡的圖像質(zhì)量,保證探針尖端的鋒利度,延長(cháng)使用壽命。
解耦的柔性XY軸與Z軸掃描器
Z軸掃描器與XY軸掃描器完全解耦。XY軸掃描器在水平面移動(dòng)樣品,而Z軸掃描器則在垂直方向移動(dòng)探針。該設置可實(shí)現平滑的XY軸測量,讓平面外移動(dòng)降到。此外,XY軸掃描的正交性和線(xiàn)性也極為出色。
行業(yè)的本底噪聲
為了檢測*小的樣品特征和成像*平的表面,Park推出行業(yè)本底噪聲(< 0.5?)的顯微鏡。本底噪聲是在“零掃描”情況下確定的。當懸臂與樣品表面接觸時(shí),在如下情況下測量系統噪聲:
?0 nm x 0 nm掃描范圍,停在***個(gè)點(diǎn)
?0.5增益,接觸模式
?256 x 256像素
* 選項
高通量自動(dòng)化
自動(dòng)探針更換(ATX)
借助自動(dòng)探針更換功能,自動(dòng)測量程序能夠無(wú)縫銜接。該系統會(huì )根據參考圖形測量數據,自動(dòng)校正懸臂的位置和優(yōu)化測量設定。創(chuàng )新的磁性探針更換功能,成功率高達99%,高于傳統的真空技術(shù)。
設備前端模塊(EFEM)實(shí)現自動(dòng)晶體處理
您可以為NX-Wafer加裝自動(dòng)晶片裝卸器(EFEM或FOUP或其他)。高精度無(wú)損晶片裝卸機械臂能夠百分百保證XE-Wafer用戶(hù)享受到快速且穩定的自動(dòng)化晶片測量服務(wù)。
長(cháng)距離移動(dòng)平臺,助力化學(xué)機械研磨輪廓掃描
該平臺帶有專(zhuān)有的用戶(hù)界面,可支持自動(dòng)化學(xué)機械研磨輪廓掃描和分析。平面外運動(dòng)(OPM)在樣品為5 mm時(shí)小于2 nm;10 mm時(shí)小于5 nm;50 mm時(shí)小于100 nm
離子化系統
離子化系統可有效地消除靜電電荷。由于系統隨時(shí)可生產(chǎn)和位置正離子和負離子之間的理想平衡,便可以穩定地離子化帶電物體,且不會(huì )污染周邊區域。它也可以消除樣品處理過(guò)程中意外生成的靜電電荷。