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日本JEOL熱場(chǎng)發(fā)射掃描電子顯微鏡 JSM-7610FPlus 

· 廣受好評的JSM-7610F的光學(xué)系統經(jīng)過(guò)改進(jìn)，實(shí)現了分辨率15kV 0.8nm、1kV 1.0nm的進(jìn)***步提升，以嶄新的JSM-7610FPlus形象亮相。采用半浸沒(méi)式物鏡和High Power Optics照明系統，提供穩定的高空間分辨率觀(guān)察和分析。此外還具備利用GENTLEBEAMTM模式進(jìn)行低加速電壓觀(guān)察、通過(guò)r-filter分選信號等滿(mǎn)足各種需求的高擴展性。

產(chǎn)品規格：

產(chǎn)品特點(diǎn)：

廣受好評的JSM-7610F的光學(xué)系統經(jīng)過(guò)改進(jìn)，實(shí)現了分辨率（15kV 0.8nm、1kV 1.0nm）的進(jìn)***步提升，以嶄新的JSM-7610FPlus形象亮相。采用半浸沒(méi)式物鏡和High Power Optics照明系統，能提供穩定的高空間分辨率觀(guān)察和分析。

此外還具備利用GENTLEBEAMTM模式進(jìn)行低加速電壓觀(guān)察、通過(guò)r-filter分選信號等滿(mǎn)足各種需求的高擴展性。主要特點(diǎn)如下：

◇ 半浸沒(méi)式物鏡

半浸沒(méi)式物鏡在樣品周?chē)纬蓮姶艌?chǎng)，因而可以獲得超高分辨率。

◇ High Power Optics

High Power Optics 是獨特的電子光學(xué)系統，既實(shí)現了高倍率觀(guān)察又能進(jìn)行多種分析。

浸沒(méi)式肖特基場(chǎng)發(fā)射電子槍?zhuān)梢垣@得10 倍于傳統肖特基場(chǎng)發(fā)射電子槍?zhuān)‵EG）的探針電流，*佳光闌角控制鏡（ALC）在探針電流增大時(shí)也能保持小束斑，兩者組合起來(lái)能提供200 nA 以上的探針電流。強大的High Power Optics 系統，從高倍率圖像觀(guān)察到EDS分析和EBSD 解析可以***直使用高分辨率的*小物鏡光闌而不需要改換。

浸沒(méi)式肖特基場(chǎng)發(fā)射電子槍|   

浸沒(méi)式肖特基場(chǎng)發(fā)射電子槍通過(guò)和低像差聚光鏡組合，可以有效地收集從電子槍內發(fā)射的電子。

*佳光闌角控制鏡（ACL）

*佳光闌角控制鏡（ACL）配置在物鏡的上方，在整個(gè)探針電流范圍內自動(dòng)優(yōu)化物鏡光闌的角度。因此，即使照射樣品的探針電流很大，與傳統方式相比，也能獲得很小的電子束斑。

即使探針電流很大，束斑直徑也很小

長(cháng)時(shí)間分析時(shí)穩定度也很高

浸沒(méi)式消特基場(chǎng)發(fā)射電子槍能獲得穩定的電子探針

◇ 柔和電子束（GB:GENTLEBEAM^TM）模式

 柔和的電子束模式（GB模式）通過(guò)給樣品添加負電壓，從而使電子束在即將撞擊樣品之前降低著(zhù)陸電壓，因此可以在低加速電壓下（100V）進(jìn)行高分辨觀(guān)察。

由于電子束在樣品中散射區域減小，就會(huì )容易地觀(guān)察樣品淺表面的精細結構，能減少對熱敏樣品的的損傷，可以直接觀(guān)察非導電性樣品。

JSM-7610Plus 在GB模式下（1KV）的分辨率為1.0nm

GB 模式的效果

GB 模式在低電壓下提高分辨率

左圖***般模式，右圖GB模式

增強了的低加速電壓下的分辨率

◇ r-過(guò)濾器

新***代 r-過(guò)濾器 是由二次電子控制電極，背散射電子控制電極，過(guò)濾器電極組合而成的獨特的能量過(guò)濾器。當電子束照射樣品時(shí)，從樣品表面會(huì )釋放出各種能量的電子，新***代r-過(guò)濾器 通過(guò)組合多個(gè)靜電場(chǎng)使電子束保持在透射系統的中央，同時(shí)還對樣品中產(chǎn)生的二次樣品和背散射電子進(jìn)行選樣和檢測。

新新***代 r-過(guò)濾器*多能獲得3倍于舊機型的信號量。

新***代 r-過(guò)濾器 檢測信號的方法

◇ LABE檢測器（選配件）

     LABE（Low Angle BE）檢測器能檢測低角度背散射電子。在低加速電壓下對樣品表面精細的形貌信息，在高加速電壓下對樣品的組分信息都能進(jìn)行高分辨觀(guān)察。

利用LABE 檢測器獲取低角度背散射電子像

◇ 擴展性

能譜儀（EDS）

High Power Optics 能充分發(fā)揮EDS（SDD）檢測器的特長(cháng)，即使探針電流很大，也不容易飽和。使用低加速電壓，大探針電液能在短時(shí)間內獲取清晰的面分布圖。下面的圖像顯示了在2分針內可以對鎳基板表面上極薄的石墨烯薄膜進(jìn)行分析。

使用基本型SDD nm2 檢測器也能在短短的30秒鐘內測試100nm厚的多層膜截面。

波譜儀（WDS）

由于High Power Optics 在大探針電流時(shí)也能提供很小的電子束斑，因此能充分發(fā)揮WDS的特長(cháng)，使用WDS可以確認用EDS判斷的樣品的濃度差等。

陰極熒光系統（CL）

陰極熒光是電子束照射樣品時(shí)產(chǎn)生的發(fā)光現象，從樣品中發(fā)出的光經(jīng)拋物面反射鏡（聚光鏡）聚焦后被檢測出來(lái)。

下面的數據是金剛石（1KW）的二次電子圖像和用衍射光柵獲得的CL像。用低加速電壓觀(guān)察CL像，可以在高分辨率下觀(guān)測到金剛石的表面缺陷。