FAI 微光發(fā)射顯微鏡（EMMI）
FAI Photo Emmission Microscope
FAI Crystal Vision微光發(fā)射顯微鏡
FAI 微光發(fā)射顯微鏡用于檢測半導體內部缺陷引起的微光發(fā)射或微熱發(fā)射來(lái)準確定位半導體器件的失效位置。通過(guò)使用不同類(lèi)型的探測器，或者配置雙激光掃描系統（SIFT），以及配合相應的檢測軟件來(lái)實(shí)現對半導體元器件或芯片電路的微光、微熱、光激勵誘導失效測試等各種分析手段。
FAI的Crystal Vision微光發(fā)射顯微鏡系統對所配置探測器的數量沒(méi)有限制，可選擇配置從***個(gè)到我們提供的所有型號的探測器和SIFT激光掃描頭。
主要功能
CCD探測器：波長(cháng)探測范圍 365nm 至 1190nm；帶電子半導體制冷器（TEC）的CCD探測器，可冷卻穩定在 -40℃以下，無(wú)需使用危險的液氮制冷劑；CCD解析度為1280x1024；像素暗電流<0.002 電子/秒；讀噪聲<7 個(gè)電子；連續收集信號時(shí)間從32毫秒至2小時(shí)。
InGaAs探測器：波長(cháng)探測范圍 900nm – 1750nm；帶電子半導體制冷器（TEC）的InGaAs探測器，可冷卻穩定在 -40℃以下，無(wú)需使用危險的液氮制冷劑； InGaAs探測器分辨率為320x240，像素點(diǎn)尺寸為30 x 30um，更大的像素點(diǎn)面積可以收集更少的光子，探測靈敏度是普通640x480 InGaAs探測器的4倍；連續收集信號時(shí)間從1微秒到60分鐘；有效波段范圍內量子效率（QE）為 80-85%；靈敏度 NEI <1x1010 ph/cm2/sec；量子效率>70 QE 在950-1700nm范圍內。
VisGaAs 探測器：波長(cháng)探測范圍 500nm – 1800nm，代表了新技術(shù)的VisGaAs 探測器覆蓋了可見(jiàn)光-紅外光波長(cháng)檢測范圍，***個(gè)探頭就可替代傳統的CCD和InGaAs 兩個(gè)探測器；半導體制冷器（TEC） ，可冷卻穩定在 -40℃以下。
SIFT(Stimulus Induced Fault Testing)雙波長(cháng)激光掃描頭：雙激光源654nm和1428nm；通過(guò)激光掃描芯片電路，導致失效位置電阻發(fā)生變化，通過(guò)檢測反饋信號的變化，從而檢測到失效位置；SIFT掃描不受物鏡視野限制，可以***次掃描完整整個(gè)檢測區域，無(wú)需圖像拼接，避免圖像扭曲；FAI的恒定電流附加反饋回路的技術(shù)，不但提高了檢測靈敏度，而且避免了檢測時(shí)電壓過(guò)高的風(fēng)險；恒定焦距的定鏡掃描，可以將激光點(diǎn)停留在任意指定位置，用于確認失效點(diǎn)。
FMI熒光熱成像技術(shù)：FAI的微熱分析技術(shù)，熱分辨率是千分K(1/1000K)，可以室溫操作，無(wú)需使用危險的液晶溶液。
LC液晶熱成像技術(shù)：FAI的SLC（穩定液晶）液晶熱成像技術(shù)的熱分辨率為百分K (1/100 K)。
Moire云紋成像：從硅片背面采用“云紋圖像成像”的方式來(lái)檢測失效位置的微熱變化。
滬公網(wǎng)安備31011502016460號
