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等離子增強化學(xué)氣相沉積系統（PECVD）

美***NANOMASTER公司PECVD(等離子增強化學(xué)氣相沉積)系統能夠沉積高質(zhì)量SiO2薄膜、Si3N4薄膜、類(lèi)金剛石薄膜、硬質(zhì)薄膜、光學(xué)薄膜等?？蛇x用射頻（RF）、空陰極高密度等離子體(HCD)源、感應耦合等離子體（ICP）源。該公司采用先進(jìn)技術(shù)和穩定可靠的設計為您提供多方位的服務(wù)。

等離子增強化學(xué)氣相沉積系統（PECVD）

1)   平板尺寸：8”

2)   源直徑：5”或8”

3)   氣體輸入管數量：4（兩個(gè)反應氣，一個(gè)載氣，一個(gè)排空管）

4)   源距平板的距離：2”或者可調

5)   真空：低于E-7Torr，200L/sec渦輪分子泵及3.5cfm機械泵組合

6)   最大平板溫度：800℃

7)   射頻電源供應：600W，13.5MHz

8)   射頻偏壓：300W，13.5MHz

產(chǎn)品型號：

NPE-3000 桌面型PECVD系統

NPE-4000 立式型PECVD系統

等離子增強化學(xué)氣相沉積系統（PECVD）

應用領(lǐng)域：

1.        等離子誘導表面改性

2.        等離子清洗（NF3）

3.        反應離子蝕刻

4.        等離子體聚合

5.        PECVD沉積SiO2、Si3N4、類(lèi)金剛石、硬質(zhì)薄膜等