LT-GaAs低溫砷化鎵基片外延生長(cháng)定制
價(jià) 格：詢(xún)價(jià)
產(chǎn) 地：德國更新時(shí)間：2020-10-28 10:11
品 牌：屹持光電技術(shù)型 號：LT-GaAs
狀 態(tài)：正常點(diǎn)擊量：2160
400-006-7520
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LT-GaAs低溫砷化鎵基片外延生長(cháng)定制
GaAs砷化鎵是Ⅲ-Ⅴ族元素化合物，黑灰色固體，熔點(diǎn)1238℃。它在600℃以下能在空氣中穩定存在，并且不為非氧化性的酸侵蝕。砷化鎵可作半導體材料，其電子遷移率高、介電常數小，能引入深能***雜質(zhì)、電子有效質(zhì)量小，能帶結構特殊，可作外延片。
1、半導體光電子器件結構生長(cháng)
我們可在GaAs砷化鎵基底上生長(cháng)高質(zhì)量AlAs、GaAs、InAs、AlGaAs、AlInAs和InGaAs材料外延薄膜層，適用于不同應用。
2、低溫砷化鎵
對于某些應用需要快速響應裝置，例如光學(xué)探測器、可飽和吸收器 或光電導天線(xiàn)。我們提供低溫外延生長(cháng)器件，響應時(shí)間短至1 ps。
我們可提供以下在GaAs襯底上生長(cháng)的***個(gè)或兩個(gè)單層的低溫砷化鎵：
產(chǎn)品參數
參數：
砷化鎵晶片直徑：2“或4”
最大薄膜疊層厚度：5μm
規格：
LT-GaAs-50.8：2“（50.8mm）LT-GaAs晶片
LT-GaAs-100：4“（100mm）LT-GaAs晶片
LT-InGaAs-100：4“（100 mm）LT-InGaAs晶圓
LT-GaA-100-C：具有定制金屬結構的4“（100 mm）LT-GaAs晶圓
產(chǎn)品介紹
LT-GaAs低溫砷化鎵基片外延生長(cháng)定制
GaAs砷化鎵是Ⅲ-Ⅴ族元素化合物，黑灰色固體，熔點(diǎn)1238℃。它在600℃以下能在空氣中穩定存在，并且不為非氧化性的酸侵蝕。砷化鎵可作半導體材料，其電子遷移率高、介電常數小，能引入深能***雜質(zhì)、電子有效質(zhì)量小，能帶結構特殊，可作外延片。
1、半導體光電子器件結構生長(cháng)
我們可在GaAs砷化鎵基底上生長(cháng)高質(zhì)量AlAs、GaAs、InAs、AlGaAs、AlInAs和InGaAs材料外延薄膜層，適用于不同應用。
2、低溫砷化鎵
對于某些應用需要快速響應裝置，例如光學(xué)探測器、可飽和吸收器 或光電導天線(xiàn)。我們提供低溫外延生長(cháng)器件，響應時(shí)間短至1 ps。
我們可提供以下在GaAs襯底上生長(cháng)的***個(gè)或兩個(gè)單層的低溫砷化鎵：
滬公網(wǎng)安備31011502016460號
