原子層沉積系統PICOSUN?- R系列
價(jià) 格：詢(xún)價(jià)
產(chǎn) 地：芬蘭更新時(shí)間：2020-10-29 14:01
品 牌：Picosun型 號：PICOSUN?- R系列
狀 態(tài)：正常點(diǎn)擊量：1293
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科研領(lǐng)域：原子層沉積系統PICOSUN?- R系列高水平的研究和開(kāi)發(fā)需要***好的設備。Picosun ALD是全球ALD設備的***。PICOSUN? R系列設備提供高質(zhì)量ALD薄膜的沉積技術(shù)，并在各種各樣的襯底上都表現極佳的均勻性，包括***具挑戰性的通孔的、超高深寬比和顆粒等樣品。我們?yōu)橐后w、氣體和固體化學(xué)物提供的更高***的，易更換的前驅源系統，能夠在晶圓、3D樣品和各種納米特性的樣品上生長(cháng)顆粒度***小的薄膜層。在***基本的PICOSUN? R系列配置中可以選擇多個(gè)獨立的，完全分離的源入口匹配多種類(lèi)型的前驅源。PICOSUN? R系列獨特的擴展性使ALD工藝可以從研究環(huán)境直接過(guò)渡到生產(chǎn)環(huán)境的PICOSUN? P系列ALD系統。由于研發(fā)型與生產(chǎn)型PICOSUN?反應腔室核心設計特點(diǎn)都是相同的,這消除了實(shí)驗室與制造車(chē)間之間的鴻溝。對大學(xué)來(lái)說(shuō),突破創(chuàng )新的技術(shù)轉化到生產(chǎn)中，就會(huì )吸引到企業(yè)投資。
產(chǎn)品參數
PICOSUN?ALD R-200 Advanced高級型 技術(shù)參數：（其他R系列技術(shù)參數請參考HONOPROF網(wǎng)站）
| 襯底尺寸和類(lèi)型 | 50-200 mm /單片
156 mm x 156 mm太陽(yáng)能硅片
3D復雜表面襯底
粉末與顆粒
Roll-to-roll , 襯底最大寬 70 mm
多孔，通孔，高深寬比（HAR）樣品
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| 工藝溫度 | 50 - 500 °C , 可選更高溫度
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| 基片傳送選件 | 氣動(dòng)升降（手動(dòng)裝載）
預真空室安裝磁力操作機械手（Load lock ）
半自動(dòng)裝載，用PICOPLATFORM?200集群系統實(shí)現
25片晶圓盒對盒式全自動(dòng)裝載（cassette-to-cassette），用PICOPLATFORM?200集群系統實(shí)現
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| 前驅體 | 液態(tài)、固態(tài)、氣態(tài)、臭氧源、等離子體（最多4路氣體）
6根獨立源管線(xiàn)，最多加載12個(gè)前驅體源（加上Plasma管路，共7根獨立源管線(xiàn)）
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| 重量 | 350 + 200 kg
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| 尺寸（W*H*D） | 取決于選件
最小 146 cm x 146 cm x 84 cm
最大 189 cm x 206 cm x 111 cm
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| 選件 | 集群工具，PICOFLOW? 擴散增強器，集成橢偏儀，QCM，RGA，超高真空兼容，N2發(fā)生器，尾氣處理器，定制設計，手套箱集成（用于惰性氣體下裝載）
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| 驗收標準 | 標準設備驗收標準為 Al2O3工藝 |
產(chǎn)品介紹
科研領(lǐng)域：原子層沉積系統PICOSUN?- R系列高水平的研究和開(kāi)發(fā)需要***好的設備。Picosun ALD是全球ALD設備的***。PICOSUN? R系列設備提供高質(zhì)量ALD薄膜的沉積技術(shù)，并在各種各樣的襯底上都表現極佳的均勻性，包括***具挑戰性的通孔的、超高深寬比和顆粒等樣品。我們?yōu)橐后w、氣體和固體化學(xué)物提供的更高***的，易更換的前驅源系統，能夠在晶圓、3D樣品和各種納米特性的樣品上生長(cháng)顆粒度***小的薄膜層。在***基本的PICOSUN? R系列配置中可以選擇多個(gè)獨立的，完全分離的源入口匹配多種類(lèi)型的前驅源。PICOSUN? R系列獨特的擴展性使ALD工藝可以從研究環(huán)境直接過(guò)渡到生產(chǎn)環(huán)境的PICOSUN? P系列ALD系統。由于研發(fā)型與生產(chǎn)型PICOSUN?反應腔室核心設計特點(diǎn)都是相同的,這消除了實(shí)驗室與制造車(chē)間之間的鴻溝。對大學(xué)來(lái)說(shuō),突破創(chuàng )新的技術(shù)轉化到生產(chǎn)中，就會(huì )吸引到企業(yè)投資。
滬公網(wǎng)安備31011502016460號
