大部分半透明的或具有輕微吸收性的薄膜能夠被快速、可靠的測量：氧化物、氮化物、感光耐蝕膜、聚合物、半導體(Si, aSi,polySi)、硬涂層(SiC, DLC), 聚合物涂料 (Paralene,PMMA,聚酰胺)，薄金屬薄膜等。
MProbe系統
精度 | 0.01nm或0.01% |
精確度 | 0.2% 或1nm |
穩定性 | 0.02nm或0.03% |
光斑尺寸 | 標準為3mm, 低至3μm |
樣本大小 | 從1 mm |
厚度范圍: 15 nm-50 um
波長(cháng)范圍: 400nm -1100 nm
LCD, FPD應用: ITO, 細胞間隙，聚酰胺。光學(xué)涂層: 介質(zhì)濾波器，硬涂層，防反射涂層半導體和電解質(zhì): 氧化物，氮化物, OLED堆
實(shí)時(shí)測量和分析。各種多層次的, 薄的，厚的，獨立和不均勻層。
豐富的材料庫 (500多種材料) – 新材料容易增添。Cauchy, Tauc-Lorentz, Cody-Lorentz, EMA 等
使用靈活: 可聯(lián)網(wǎng)在操作臺桌面或現場(chǎng)進(jìn)行研究與開(kāi)發(fā)。
用TCP或Modbus接口能容易的和外部系統連接。
測量參數：厚度、光學(xué)常數、表面粗糙度。
界面友好強大: 測量和分析設置簡(jiǎn)單。
實(shí)用的工具：仿真和靈敏度分析，背景和縮放修正,連接層和材料，多樣品測量，動(dòng)態(tài)測量和生產(chǎn)批量處理。
測量300 nm 硅氧化膜 測量與模型數據擬合
主要參數
從硅晶片原反射比。信號***大（16位）。
積分時(shí)間：10ms
光譜范圍 (nm) | 400-1100 |
分光儀/檢測器 | 分光儀F4,Si CCD 3600像素,16位ADC,
范圍360-1100 nm |
光譜分辨率 | <2 nm (標準)
<1 nm (選項) |
光源 | 鹵鎢燈（Xe填充）5Ｗ, CT 2800o
使用時(shí)間: 10000 hrs |
反射比探測 | 光導纖維（７纖維束）,
400μm纖維芯 |
精度 | <0.01 nm或0.01% |
準確度 | <1nm或0.2% |
重量 | 4 kg |
尺寸 | 8”x 10” x 4” (WxDxH) |
功率 | 100-250VAC, 50/60 Hz
20W |
測量500nm AlN. 測量參數：厚度和表面粗糙度。 換算系數應用到正確的距離以改變配置。
選配硬件 |
-FLVis | Vis消色差聚焦透鏡. WD:35mm. 光板尺寸:<0.5mm. |
-LP500 | 長(cháng)通濾片, 波長(cháng)范圍在500nm以下.
用于測量光阻材料。（其他濾器可用） |
-FDHolder | 樣品架朝下.測量透明和柔韌的樣本 |
-TO | 選配透射率 |
-TO Switch | 2通道開(kāi)關(guān)，結合測量反射率和透光率. |
- 2oW | 更改為20W (CT 3100o, 使用時(shí)間2000hrs) 鎢鹵素燈. |
-HR | 升***光譜儀分辨率<1nm |
- TR | 在輸入/輸出觸發(fā)5V TTL。1外部(輸入)
觸發(fā)器以開(kāi)始測量,6輸出觸發(fā)器 |
軟件選項 |
-MOD | 基于Modbus標準遠程控制(TCP) |
- CM | 不同測量與指定數量的測量和/或延遲 |
滬公網(wǎng)安備31011502016460號
