引言

對易燃易爆、有毒和污染氣體分子的有效探測對確保***庭、工業(yè)和環(huán)境安全至關(guān)重要。近年來(lái)， 1-100 nm 尺寸范圍內的半導體金屬氧化物（ SMO ）氣體傳感器由于其尺寸依賴(lài)性的特性，已經(jīng)越來(lái)越多地用于氣體傳感研究中。

SMO 氣體傳感器的性能(如靈敏度、選擇性、響應時(shí)間，耐用性)依賴(lài)于金屬氧化物的粒度、元素組成和結構。雖然目前的 SMO 傳感器能夠檢測多種氣體，但區分各個(gè)分子的靈敏性很差。下***代氣體傳感器的應用將需要應對廣泛的篩選的需求，這需要我們對初***顆粒尺寸和摻雜元素的影響進(jìn)行深入研究。

1.  目前研究面臨的挑戰

雖然納米金屬氧化物顆?？梢宰鳛槌錾膫鞲衅鞑牧?，但在制造工藝中，顆粒的合成依賴(lài)傳統的液相合成，同時(shí)涂層的制造也依賴(lài)于液體漿料以及絲網(wǎng)印刷等沉積工藝。隨著(zhù) MEMS 傳感器制造的日趨精密，精細圖案化和溫和清潔的制造技術(shù)受到廣泛的關(guān)注。

VSParticle 公司提出了***種基于等離子體火花放電的氣溶膠技術(shù)，可以生產(chǎn)出具有出色的表面積與體積比、高純度和可調節厚度的高質(zhì)量納米多孔傳感涂層。該設備可以使材料開(kāi)發(fā)人員輕松打印各種納米多孔金屬氧化物（包括摻雜劑），并制備具有受控粒度分布和層厚度的傳感器。該方法利用塊狀金屬材料（或合金）作為靶材，對工藝參數（例如沉積時(shí)間、圖案等）進(jìn)行編程，可啟動(dòng)金屬氧化物層的全自動(dòng)合成和沉積。

使用 VSParticle 納米印刷沉積系統打印各種納米多孔金屬氧化物

火花燒蝕技術(shù)的典型優(yōu)勢：

2. 研究案例

在***項研究中，研究者利用火花燒蝕的方法打印沉積 WOx 納米顆粒薄膜，并展示其對于空氣中 NO2 氣體的傳感能力。使用火花燒蝕技術(shù)制備與打印納米顆粒的原理如下：相鄰固定距離的兩個(gè)電極之間所產(chǎn)生的感應火花使電極材料蒸發(fā)，蒸氣云被穿過(guò)兩個(gè)電極間隙的高驟冷氣流快速冷卻，從而成核形成原子團簇。這些團簇進(jìn)***步生長(cháng)，通過(guò)縮合和凝聚的方式分別形成單線(xiàn)態(tài)納米顆粒以及團聚。而產(chǎn)生的氣溶膠又通過(guò)***系列空氣動(dòng)力和慣性沖擊，在慣性沖擊器中將納米顆粒沉積在基底上。之后再對其進(jìn)行 500℃ 的后退火處理。

下圖顯示了在沉積到襯底之前通過(guò)掃描遷移率粒徑譜儀（ SMPS ）和 透射電鏡（TEM ）測量的 WOx 顆粒的尺寸。顆粒的平均尺寸約為 100nm，而初***顆粒的尺寸在 10nm 左右。

退火前與退火后的初***顆粒

SMPS 掃描測試的 WOx 顆粒粒徑

初***顆粒在高溫下燒結***終導致材料收縮，進(jìn)而形成更寬的裂紋，通過(guò)提供分析物氣體分子到相互作用位點(diǎn)的容易接近而有利于氣體傳感。

沉積后的顆粒（左）退火處理后的顆粒（右）

物相表征

薄膜在 500°C 的空氣中退火 1 小時(shí)后結晶,因此在未退火前，WOx 為非晶狀態(tài)。在 XRD 測試中我們可以看到退火后明顯的衍射峰。

XPS 測試結果顯示，利用火花燒蝕技術(shù)產(chǎn)生的 WOx 薄膜與商業(yè)的 WOx 有著(zhù)相同的能量峰。為了確定本體中薄膜的氧化狀態(tài)，我們進(jìn)行了第二次 XPS 測量。在本次測量中將沉積顆粒頂部大約 100nm 厚的涂層進(jìn)行蝕刻，對其表面進(jìn)行 XPS 測量。再次將火花燒蝕技術(shù)產(chǎn)生的顆粒的 XPS 峰與來(lái)自商業(yè) WO3 粉末的 XPS 峰進(jìn)行比較。在較低的結合能下觀(guān)察到 XPS 光譜中的附加峰，對應于 Wx+和 W0 的鎢氧化態(tài)。

直接測試以及蝕刻后的本體涂層 XPS 測試結果

NO2 響應度測試

下圖顯示了 2.5μm 厚的 WOx 薄膜在 200°C 的純空氣以及含有 NO2 的空氣中電阻的循環(huán)測量結果。每個(gè)循環(huán)暴露在純空氣中 2 小時(shí)，然后暴露在含有 1ppm NO2 的空氣中 30 分鐘。正如預期的那樣，當在周?chē)諝庵幸?NO2 分子時(shí)，膜的電阻增加，傳感器的響應不會(huì )隨著(zhù)循環(huán)而顯著(zhù)變化，這表明薄膜在循環(huán)過(guò)程中不會(huì )改變其性質(zhì)。并且當從周?chē)諝庵腥コ?NO2 時(shí)，在暴露過(guò)程中化學(xué)吸附在薄膜表面上的大多數 NO2 分子會(huì )解吸。

與較薄的膜相比，較厚的膜表現出更高的導電性，這是因為指向 Au 電極之間的可用電通路的數量更高。有趣的是，當通過(guò)將沉積時(shí)間從 10 分鐘改變到 30 分鐘來(lái)增加膜厚度時(shí)，恢復時(shí)間從 15 分鐘逐漸減少到 7 分鐘。這***現象可以通過(guò)以下事實(shí)來(lái)解釋?zhuān)狠^厚的薄膜具有更多的微米***裂紋，為脫附后的 NO2 分子從薄膜主體逃逸提供了更短的替代途徑。薄膜的高靈敏度表明，火花燒蝕結合慣性沉積的氣溶膠打印技術(shù)是***種制備用于氣體傳感的多孔金屬氧化物納米結構材料的很有前途的技術(shù)。

NO2 解吸過(guò)程中不同厚度（由不同沉積時(shí)間表示）WOx 膜的電阻恢復曲線(xiàn)

不同厚度涂層的響應動(dòng)力學(xué)數據

3. 總結

除了 WOx 外，使用火花燒蝕技術(shù)可以制造幾乎所有的金屬氧化物顆粒，并且利用慣性沖擊的方式進(jìn)行圖案化的沉積。該方案不僅可以使用進(jìn)行單***顆粒的制備，同時(shí)也可以進(jìn)行多組分的顆?；旌匣蛘咴鼗旌?。

利用火花燒蝕技術(shù)可以進(jìn)行多種組分的顆?；旌?/p>

關(guān)于 VSParticle

VSParticle 是******專(zhuān)注于納米技術(shù)的荷蘭公司，其聯(lián)合創(chuàng )始人為火花燒蝕氣溶膠技術(shù)的發(fā)明人：Andreas Schmidt Ott 教授。專(zhuān)注于氣溶膠技術(shù)，致力推廣火花燒蝕技術(shù)，促進(jìn)交叉學(xué)科的發(fā)展，為納米研究帶來(lái)變革型技術(shù)。推出的 VSP-P1 納米印刷沉積系統可實(shí)現具有獨特性能的無(wú)機納米結構材料的打印直寫(xiě)。

我們也將聚焦火花燒蝕技術(shù)制備納米材料的研究，并將不斷介紹該技術(shù)的相關(guān)進(jìn)展與應用。歡迎大***關(guān)注了解更多關(guān)于火花燒蝕技術(shù)的信息。垂詢(xún)電話(huà)：400 857 8882。

參考文獻

【1】Isaac N A, Valenti M, Schmidt-Ott A, et al. Characterization of tungsten oxide thin films produced by spark ablation for NO2 gas sensing[J]. ACS Applied Materials & Interfaces, 2016, 8(6): 3933-3939.

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